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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	材料	终端数量	晶体管元件材料													Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																						包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	晶体管应用	极性/通道类型	JEDEC-95代码	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	信道型	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)
JANSF2N7588T3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						无	无	R6				活跃
IRHLUB730Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	表面贴装	1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	Module	UB型壳体					不合规	出口接触方式	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	0.8	3.6(Max)@4.5V	166@25V	600	13(Max)	24(Max)	30(Max)	8(Max)				活跃									4			Single										N
IRHLNJ73034SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60	22	570000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5						不合规	出口接触方式				活跃									3													N
JANSF2N7587U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	42@12V	无	无	Enhancement	1	100	22	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5	,	JANSF2N7587U3	Defense Logistics Agency	活跃	DEFENSE LOGISTICS AGENCY	5.33					供应商未确认				活跃								unknown	3		Qualified	Single										N
IRHNJ597130	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	205@12V	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	12.5	45(Max)@12V	1372@25V	75000	100(Max)	55(Max)	30(Max)				活跃									3			Single										P
JANSR2N7474U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60@12V	35(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	250	±20	45	165(Max)@12V	5045@25V	250000	65(Max)	125(Max)	80(Max)				活跃									3			Single										N
JANSR2N7503U8C	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	220@12V	6.6(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.69(Max)	8.15(Max)	5.74(Max)	3	CSMD-0.2	No Lead					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.9	15(Max)@12V	378@25V	23000	15(Max)	8(Max)	34(Max)				活跃									3			Single										N
2N7550T1JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	50@12V	120(Max)	140(Max)	70(Max)	35(Max)	-55	125	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	100	±20	45	170(Max)@12V	6110@25V	208000				活跃									3			Single										P
IRHNMC57110	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	220@12V	-55	150	表面贴装	2.69(Max)	8.15(Max)	5.74(Max)	3	CSMD-0.2	No Lead					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.9	15(Max)@12V	378@25V	23000	15(Max)	8(Max)	34(Max)	6.6(Max)				活跃									3			Single										N
IRHNJ57Z30	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	30	±20	22	20@12V	65(Max)@12V	2054@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNJ57Z30	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	7.88	22 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无		e0	无	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	compliant	3	R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		22 A	0.02 Ω	88 A	30 V	N	155 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
IRHM9064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	53@12V	200(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	35	300(Max)@12V	6700@25V	250000	200(Max)	150(Max)				活跃									3			Single										P
IRHY57133CMSE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	90@12V	-55	150	通孔	10.67(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	130	±20	18	48(Max)@12V	965@25V	75000	35(Max)	70(Max)	25(Max)	20(Max)				活跃									3			Single										N
IRHNJ597Z30	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	70@12V	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	22	45(Max)@12V	1670@25V	75000	70(Max)	100(Max)	50(Max)				活跃									3			Single										P
IRHNJ9230	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	800@12V	SMD-0.5					供应商未确认	无	无	Enhancement	1	200	6.5	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3				活跃									3			Single										P
IRHM9160	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	5	75@12V	35	100	25	290(Max)@12V	6000@25V	250000	190(Max)	170(Max)	190(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔	未说明	150 °C	无	IRHM9160	SQUARE	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	7.71	TO-254AA	UNSPECIFIED	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	35 A			e0	无	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	HIGH RELIABILITY	其他晶体管	SINGLE	PIN/PEG	未说明	compliant	3	S-XSFM-P3	不合格	Single	增强型MOSFET	ISOLATED	SWITCHING	P-CHANNEL	TO-254AA	35 A	0.075 Ω	140 A	100 V	P	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W	250 W
IRHQ597110SCV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1200@12V	150	表面贴装	2.41(Max)	11.68(Max)	11.68(Max)	28	LCC	LCC	No Lead					出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	2.8	11(Max)@12V	377@25V	12000	90(Max)	24(Max)	32(Max)	20(Max)	-55													28			四重双漏极双源极										P
IRHY7130CM	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	200@12V	-55	150	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	14.4	50(Max)@12V	960@25V	75000	60(Max)	75(Max)	70(Max)	35(Max)				活跃									3			Single										N
IRHLUC7970Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	表面贴装	2.03(Max)	6.22(Max)	4.32(Max)	6	LCC	LCC					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.65	3.6(Max)@4.5V	147@25V	1000	26	22	32	23				活跃									6			Dual										P
OM3N100ST	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5200@10V	Tab	3	10.66(Max)	5.08(Max)	10.92(Max)	通孔	150					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	1000	±20	3.5	950@25V	90000	75	90	115	90	-55	TO-257AA				Obsolete									3			Single										N
IRHNA597Z60SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13@12V	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	56	240(Max)@12V	7844@25V	250000	80(Max)	175(Max)	80(Max)	35(Max)				活跃									3			Single										P
IRHNA57260SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		供应商未确认	出口接触方式	无	无	200	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2								活跃									3													N
JANSR2N7524T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	17@12V	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔				供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	45	160(Max)@12V	8040@25V	208000	35(Max)	150(Max)	100(Max)				活跃									3			Single										P
JANSR2N7270U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	500@12V	45(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	11.55(Max)	16(Max)	3	SMD	SMD-1					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	11	150(Max)@12V	4000@25V	150000	130(Max)	190(Max)	190(Max)				活跃									3			Single										N
IRL2203NHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	7@10V	Enhancement	1	30	±16	116	60(Max)@4.5V	3290@25V	180000	66	160	23	11	-55	175				8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Tube			Obsolete												Single										N
IRHF57034	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	60	±20	12	40(Max)@12V	48@12V	1160@25V	25000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	TO-205AF, 3 PIN	CYLINDRICAL	METAL	未说明	150 °C	无	IRHF57034	ROUND	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.18	12 A		不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	雪崩额定	FET 通用电源	BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3	O-MBCY-W3	不合格	Single	增强型MOSFET		SWITCHING	N-CHANNEL	TO-39	12 A	0.048 Ω	48 A	60 V	N	270 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W		9.22(Max)